Narrow Gap Semiconductors: Proceedings of the 12th International Conference on Narrow Gap Semiconductors bringt Forscher aus fünfundzwanzig Ländern zusammen und diskutiert die jüngsten Fortschritte und Entdeckungen in der Wissenschaft und Technologie von Narrow Gap Semiconductors (NGS). Insbesondere werden die neuesten Erkenntnisse in der Grundlagenphysik von Materialien mit engem Spalt und Quantenheterostrukturen sowie in der Bauelementphysik einschließlich Lasern, Detektoren und spintronischen Bauelementen im mittleren und fernen Infrarot erforscht. Dieser Band stellt eine solide Darstellung in mehreren wichtigen Bereichen der NGS-Forschung dar, einschließlich Materialwachstum und -charakterisierung, grundlegender physikalischer Phänomene sowie Bauelemente und Anwendungen. Es untersucht das neuartige Material InAs und seine verwandten Legierungen, Heterostrukturen und Nanostrukturen sowie traditionellere NGS-Materialien wie InSb, PbTe und HgCdTe. Mehrere Kapitel befassen sich mit Kohlenstoffnanoröhren und Spintronik sowie Spin-Bahn-Kopplung, Nichtparabolizität und großen g-Faktoren. Das Buch befasst sich auch mit der Physik und Anwendungen niederenergetischer Phänomene im Infrarot- und Terahertz-Bereich. Narrow Gap Semiconductors setzt die hochwertige Tradition dieser Serie fort und deckt alle Aspekte von NGS ab, um eine maßgebliche, ausgewogene Perspektive auf dieses sich entwickelnde Feld zu bieten. Sprache: Englisch